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本研究利用射頻電漿濺鍍沉積氧化銦錫(ITO)薄膜於水溶性高分子polystyrene sulfonate (PSS)上，以翻膜轉印之技術將ITO薄膜轉移至有機高分子材料表面，作為有機光電元件之透明電…
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本研究主要是探討在室溫下以反應磁控濺鍍系統，先以銀靶材濺鍍找出能形成 Ag 2 O 的最適氬氣/氧氣的流量比後，再利用該最佳濺鍍條件進行由化學合成得到的氧化銀/氧化鋅複合粉體所熱壓的自製靶材來製作氧…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化銀，藉由調變不同離子束能量、沉積溫度及氧氣分壓(Opf)來沉積氧化銀薄膜，之後再將鋁摻入薄膜觀察其變化。XRD分析在陽極電壓700 V下沉積，在Opf = 100…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜， 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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由於鎂及其合金在所有結構用金屬材料中具有優異的物理及機械特性，如低密度、高比強度、高比剛性、高吸震性、高電磁屏障性、抗輻射能力強、易切削加工及易回收等一系列優點，在生活設備及國防軍事領域具有極其重要…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…